高周波増幅用 L、S−バンド・パワーGaAs−FET 10W
FDESCRIPTION
The NE6501077 is power GaAs FET which provideshigh gain, high efficiency and high output power in L, Sband.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
• Class A operation• High output power: 39.5 dBm (typ)
• High gain: 10.5 dB (typ)
• High power added efficiency: 40 % (typ)
• Hermetically sealed ceramic package
10Wの出力が有ります。
2.4GHz帯パワーアンプに使用できます。
長期在庫品です。
参考資料
https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/6383/NEC/NE6501077.html
*発送する時にはプラスチックケースは付属しません。袋パッケージのみです。