コスモウェーブ

1.2GHz高出力パワーモジュール RA18H1213G

RA18H1213G

8,600円(税込9,460円)

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新型の１．２ＧＨｚ用高出力パワーモジュール

FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W, hT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
• Broadband Frequency Range: 1.24-1.30GHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V
• Module Size: 66 x 21 x 9.88 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power

詳しくは下記のホームページをご覧下さい。
http://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/content/product/highfrequency/siliconrf/module/ra18h1213g.pdf

実験等、詳しくは下記のホームページをご参考にしてください。
１２００ＭＨｚＭｏｓモジュールアンプの製作

数量限定です！

弊社、パワーアンプに採用、修理、保守用に。


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＊製品には性能に問題無いキズや汚れが有る場合がございますので、ご了承ください。

＊電子部品は製品により写真に関わらず、カットテープ、バラ梱包になる場合がございますので、ご了承ください。

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